열 고려 사항을 고려한 GaN HEMT가 있는 3kW 계통 연결 PV 인버터 개발
한석규1, 노용수, 현병조1, 박준성1, 주동명
GaN HEMT
한국전력전자학회의 거래,
부스트 컨버터와 LCL 필터가 적용된 풀브리지 인버터를 이용하여 국내 상용화를 위한 질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT)가 적용된 3kW 계통연계형 태양광 인버터 개발
토폴로지.
최근에 많은 GaN HEMT가 표준 TO(트랜지스터 아웃라인) 패키지보다 낮은 기생 인덕턴스 특성 때문에 표면 실장 패키지로 제조됩니다.
표면 실장 패키지 GaN HEMT는 상단 또는 하단 냉각 방법을 통해 열을 방출합니다. IGOT60R070D1, 핵심 전력반도체로 선정
상부 냉각 방식과 접합부에서 주변부까지의 열 저항이 상당히 낮기 때문입니다.
강제 대류가 없는 3kW 인버터의 설계가 가능하여 유지보수가 용이하고 신뢰성이 높다는 장점이 있습니다.
1EDF5673K는 IGOT60R070D1에 최적화된 구동 전류와 음의 전압 출력 특성으로 인해 게이트 드라이버로 선정됐다.
GaN HEMT가 있는 3kW PV 인버터의 프로토타입은 전력 변환 시스템의 성능을 검증하기 위해 구성됩니다.
부스트 컨버터 및 인버터에서 614W/L의 높은 전력 밀도 및 99%의 피크 전력 효율 달성
