Демонтаж силового решения GaN мощностью 700 Вт: стабильная работа и высокая эффективность

Сеть приложений полупроводниковых устройств узнала,

что в будущем галлий примет решение PFC без моста тотемного столба устройства GaN,

которое не только решает проблему невозможности повышения эффективности традиционных линий FPC, но и

А благодаря применению Cascode GaN проблема, заключающаяся в том,

что заряд обратного восстановления Qrr тотемного полюса PFC MOSFET слишком высок,

может использоваться только в рабочем режиме CRM.

Использование устройств Cascode GaN с чрезвычайно низким эквивалентным Qrr позволяет PFC работать в режиме непрерывного тока для повышения эффективности без ущерба для удельной мощности, достигая эффективности преобразования до 99,1%.

Стоит отметить,

что в силовом решении GaN используются 8 полевых МОП-транзисторов,

которые сочетают в себе функции выпрямления и коррекции коэффициента мощности,

что является ключом к уменьшению количества компонентов и повышению эффективности звена выпрямления.

Четыре из них – будущие галлиевые МОП-транзисторы GaN – полевые транзисторы серии G1N65.
Полевые транзисторы серии G1N65 — это будущее галлиевых гибридных полевых МОП-транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) с самым прочным затвором и самым низким падением обратного напряжения среди всех широкозонных устройств на рынке.

Posted in Uncategorized and tagged .